研究人員發(fā)現(xiàn)，采用共沉淀技術(shù)可以有效地將金屬陽離子吸附到具有優(yōu)良導(dǎo)電性的碲納米線表面，加入有機(jī)配體溶液后，配體與碲納米線表面的金屬離子配位形成MOF晶核，晶核生長成為MOF晶體，最終將碲納米線原位嵌入到MOF中。經(jīng)過熱處理后，可制備出具有等級(jí)多孔結(jié)構(gòu)的多金屬氧化物納米復(fù)合材料（如圖）。
圖：Te@ZnCo2O4制備過程及電化學(xué)性能
該類納米復(fù)合材料在0.01-3.0V電壓范圍，以100mAg-1電流密度充放電100次后，比容量穩(wěn)定在956mAhg-1以上；當(dāng)充放電流密度為2000mAg-1時(shí)，比容量仍高達(dá)307mAhg-1，顯示出優(yōu)良的電化學(xué)儲(chǔ)能特性。
相關(guān)研究結(jié)果發(fā)表在Adv. Funct. Mater., 2017, 27, 1604941-1604947；ACS Energy Lett., 2017, 2, 1564-1570；Chem. Eur. J., 2016, 22, 1467-1474；ACS Nano, 2015, 9, 1592-1599；Nanoscale, 2014, 6, 5509-5515 和J. Mater. Chem. A, 2014, 2, 8048-8053等學(xué)術(shù)期刊上。該系列研究工作得到國家自然科學(xué)基金委的項(xiàng)目資助。
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