漢能薄膜發(fā)電購(gòu)母企薄膜電池生產(chǎn)技術(shù)


核心提示:中國(guó)電池網(wǎng) 漢能薄膜發(fā)電(00566-HK)公告,向母企收購(gòu)Alta Devices全部已發(fā)行股本,交易金額1,500萬(wàn)美元。Alta Devices之砷化鎵(GaAs)柔性薄膜電池生產(chǎn)技術(shù),為世界最領(lǐng)先的薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)之一,發(fā)電效能比大部份單晶硅技術(shù)高出約8個(gè)百分點(diǎn),比多晶硅高出約10個(gè)百分點(diǎn);在相同面積的電池片下,砷化鎵薄膜電池產(chǎn)生的發(fā)電效能,較傳統(tǒng)柔性薄膜電池要高出很多,特別在弱光條件之下,可以產(chǎn)生更多的能量。
鋰電世界 漢能薄膜發(fā)電(00566-HK)公告,向母企收購(gòu)Alta Devices全部已發(fā)行股本,交易金額1,500萬(wàn)美元。Alta Devices之砷化鎵(GaAs)柔性薄膜電池生產(chǎn)技術(shù),為世界最領(lǐng)先的薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)之一,發(fā)電效能比大部份單晶硅技術(shù)高出約8個(gè)百分點(diǎn),比多晶硅高出約10個(gè)百分點(diǎn);在相同面積的電池片下,砷化鎵薄膜電池產(chǎn)生的發(fā)電效能,較傳統(tǒng)柔性薄膜電池要高出很多,特別在弱光條件之下,可以產(chǎn)生更多的能量。按照Alta Devices之未經(jīng)審核管理賬面。
Alta Devices由注冊(cè)成立至2014年11月30 日,并無(wú)錄得任何收入并錄得稅前虧損約1,030萬(wàn)美元,而Alta Devices于2014年11月30日之資產(chǎn)凈值,加上于2014年11月對(duì)Alta Devices注入相關(guān)專(zhuān)利無(wú)形資產(chǎn)之價(jià)值,總資產(chǎn)凈值約為2,940萬(wàn)美元。
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